產(chǎn)品介紹

真空共晶回流焊 半導體真空回流焊 共晶回流爐

真空共晶回焊爐適用范圍:

1、功率半導體封裝(IGBT、晶閘管、MOSFET等)

2、MEMS封裝

3、大功率器件封裝焊接、激光半導體真空封裝

4、芯片真空焊接(芯片與基板、蓋板與管殼)

5、氣密性封裝及材料試驗等

真空共晶回焊爐HSM 系列特點(diǎn):

1、HSM系列半導體真空回流焊以進(jìn)口平臺，精心打造，具有自主知識產(chǎn)權，打破國際封鎖和壟斷的半導體焊真空焊接設備，產(chǎn)品針對SOPSOT、DIP、QFN、QFP、BGA、IGBT、TO、MINI LED 等真空芯片封裝焊接。

2、2、HSM系列半導體真空回流焊采用工控嵌入式控制系統，系統采用雙CPU運算，可以脫離電腦(電腦死機)獨立運行

不僅穩定可靠而且溫度控制更加精確。

3、針對客戶(hù)產(chǎn)品提供可更換加熱模塊，有效解決溫差導致炸錫現象。

4、分步抽真空設計，最多可分5步抽真空

5、最大真空度可以達到 0.1KPa，Void Sinale<0.5%，Total<1%。最快循環(huán)時(shí)間 25s /per cycle、真空回流焊行業(yè)效率最高

6、熱機時(shí)間約30min

7、完美四配ASM及國內DB設備

8、獨家zhuanli的Fux錫育自動(dòng)回收系統，減少設備維護和清理

9、設備支持關(guān)鍵焊接參數的配方功能、支持MES遠程數據讀取。

10、智能氨氣監測和控制系統，不但節約保護氣體，而且氧氣含量更低.

11、zhuanli密封圈水冷結構，不僅壽命更長(cháng)，使用成本更低，而且減少了密封不良造成的昂貴的產(chǎn)品損壞。

zhuanli模塊加熱結構、溫度控制更加精準、行業(yè)溫控溫差最小、焊接效果更好進(jìn)料升降高度和運輸采用步進(jìn)伺服無(wú)極調速，可以匹配不同產(chǎn)品的生產(chǎn)需求完美的保護氣體加注與廢氣回收結構，讓爐內保護氣體更加均勻，爐膛更加清潔進(jìn)料采用無(wú)塵滾輪+進(jìn)料矯正機構和預熱區完美結合，可以實(shí)現產(chǎn)品準確移動(dòng)到加熱器中央獨立氮氫混合氣體注入系統實(shí)現預熱區注入氨氣、焊接區注入氨氫混合氣體，不僅更加節約而且保護效果更佳zhuanli收料保護機構，當料框變形收料卡板時(shí)，自動(dòng)轉存到備用料框，不僅不會(huì )耽誤生產(chǎn)，還能防止產(chǎn)品在爐內損壞

共晶回流爐基本參數

設備型號：HTC-612D HTC-613D

設備尺寸(mm)：L6300*D1450*H1560 L6300*D1450*H1560

機器重量 ：APPROX:3000KG APPROX:3100KG

加熱區數量 ：上6個(gè)下6個(gè) 上6個(gè)下6個(gè)

冷卻區數量：上2個(gè)下2個(gè) 4個(gè)冷卻區 上3個(gè)下3個(gè) 6個(gè)冷卻區

冷卻方式 強制冰冷 強制冰冷

排風(fēng)要求：10m3/H*2 10m3/H*2

空洞率： APPROX:1%-2% APPROX:1%-2%

控制系統

電源要求：3P 380V 50/60Hz 3P 380V 50/60Hz

總功率 ：60KW 64KW

分段啟動(dòng)功率： 35KW 35KW

消耗功率： APPROX:12KW-18KW APPROX:13KW-18KW

熱風(fēng)機調速 孌頻無(wú)極調速 變頻無(wú)極調速

升溫時(shí)間 ：APPROX:30min APPROX:30min

溫度控制范圍 ：室溫~400°C可設置 室溫~400℃C可設置

生產(chǎn)配方 可儲存多組合生產(chǎn)配方 可儲存多組合生產(chǎn)配方

運輸系統

軌道對數：單軌 單軌

軌道結構 ：3段組合結構 3段組合結構

載具尺寸(mm)：L330*D250 L330*D250

運輸帶高度(mm)：900±20 900±20

運輸方式：等距推板、等距推板

真空系統

低真空壓力：0.1Kpa 0.1Kpa

真空泵流量 ：APPROX:1000L/min APPROX:1000L/min

泄壓時(shí)間 ：≤10s ≤10s

生產(chǎn)效率 ：≥40s 240s

選配氮氣系統

氮氣結構 全程/局部充氮 全程/局部充氮

氮氣系統 ：自動(dòng)或手動(dòng)可切換 自動(dòng)或手動(dòng)可切換

氮氣消耗量 ：APPROX:300-500L/min APPROX:300-500L/min